型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: TVS二极管描述: ESD 保护，具有低钳位电压 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor555610-49￥0.985550-99￥0.9344100-299￥0.8979300-499￥0.8760500-999￥0.85411000-2499￥0.83222500-4999￥0.7994≥5000￥0.7921 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C670NLT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 60 V, 0.0051 ohm, 10 V, 2 V66775-24￥3.645025-49￥3.375050-99￥3.1860100-499￥3.1050500-2499￥3.05102500-4999￥2.98355000-9999￥2.9565≥10000￥2.9160 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，40V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor43015-24￥6.142525-49￥5.687550-99￥5.3690100-499￥5.2325500-2499￥5.14152500-4999￥5.02785000-9999￥4.9823≥10000￥4.9140 -
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品类: 双极性晶体管描述: NTMFS5C645NL: 单 N 沟道功率 MOSFET 60V，100A，4.0mΩ94785-24￥5.359525-49￥4.962550-99￥4.6846100-499￥4.5655500-2499￥4.48612500-4999￥4.38695000-9999￥4.3472≥10000￥4.2876 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V102110-99￥10.9440100-499￥10.3968500-999￥10.03201000-1999￥10.01382000-4999￥9.94085000-7499￥9.84967500-9999￥9.7766≥10000￥9.7402 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，40V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor45345-24￥6.102025-49￥5.650050-99￥5.3336100-499￥5.1980500-2499￥5.10762500-4999￥4.99465000-9999￥4.9494≥10000￥4.8816 -
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品类: MOS管描述: 40V,339A,0.75mΩ,单N沟道功率MOSFET74805-49￥30.232850-199￥28.9408200-499￥28.2173500-999￥28.03641000-2499￥27.85552500-4999￥27.64885000-7499￥27.5196≥7500￥27.3904 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors496910-49￥1.053050-99￥0.9984100-299￥0.9594300-499￥0.9360500-999￥0.91261000-2499￥0.88922500-4999￥0.8541≥5000￥0.8463 -
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品类: 双极性晶体管描述: 数字晶体管（ BRT ） R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7千？ Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k443620-49￥0.351050-99￥0.3250100-299￥0.3120300-499￥0.3016500-999￥0.29381000-4999￥0.28865000-9999￥0.2834≥10000￥0.2782 -
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品类: 肖特基二极管描述: Diode Schottky 100V 8A Automotive 5Pin SO-FL T/R15645-24￥2.038525-49￥1.887550-99￥1.7818100-499￥1.7365500-2499￥1.70632500-4999￥1.66865000-9999￥1.6535≥10000￥1.6308 -
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品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 133V 5Pin TO-270W GULL T/R26111-9￥324.380510-49￥315.918450-99￥309.4308100-199￥307.1742200-499￥305.4818500-999￥303.22531000-1999￥301.8149≥2000￥300.4046 -
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品类: MOS管描述: RF Power Transistor,1930 to 1995MHz, 104W, Typ Gain in dB is 16.3 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT182631481-9￥895.515610-49￥864.094050-99￥860.1663100-149￥856.2386150-249￥849.9543250-499￥844.4555500-999￥838.9567≥1000￥832.6724 -
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品类: 二极管阵列描述: 特点•高电压表面装载开关二极管阵列•两个系列二极管电路连接形成全波桥•开关速度快•高电导率•高的反向击穿电压额定值•无铅/ RoHS兼容版本（注3）•“绿色”设备（注4和5）585320-49￥0.418550-99￥0.3875100-299￥0.3720300-499￥0.3596500-999￥0.35031000-4999￥0.34415000-9999￥0.3379≥10000￥0.3317 -
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品类: 双极性晶体管描述: UB NPN 50V 0.8A91371-9￥86.089010-99￥82.3460100-249￥81.6723250-499￥81.1482500-999￥80.32481000-2499￥79.95052500-4999￥79.4265≥5000￥78.9773 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。38865-24￥1.525525-49￥1.412550-99￥1.3334100-499￥1.2995500-2499￥1.27692500-4999￥1.24875000-9999￥1.2374≥10000￥1.2204 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R29535-49￥13.267850-199￥12.7008200-499￥12.3833500-999￥12.30391000-2499￥12.22452500-4999￥12.13385000-7499￥12.0771≥7500￥12.0204 -
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品类: MOS管描述: IRF9530NSTRLPBF 编带20765-24￥4.671025-49￥4.325050-99￥4.0828100-499￥3.9790500-2499￥3.90982500-4999￥3.82335000-9999￥3.7887≥10000￥3.7368 -
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品类: MOS管描述: MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.175Ω; ID -11A; D-Pak (TO-252AA); PD 38W54195-24￥3.253525-49￥3.012550-99￥2.8438100-499￥2.7715500-2499￥2.72332500-4999￥2.66315000-9999￥2.6390≥10000￥2.6028 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。18045-49￥15.947150-199￥15.2656200-499￥14.8840500-999￥14.78861000-2499￥14.69312500-4999￥14.58415000-7499￥14.5160≥7500￥14.4478 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R33595-49￥12.671150-199￥12.1296200-499￥11.8264500-999￥11.75061000-2499￥11.67472500-4999￥11.58815000-7499￥11.5340≥7500￥11.4798 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 4 V46585-49￥15.151550-199￥14.5040200-499￥14.1414500-999￥14.05081000-2499￥13.96012500-4999￥13.85655000-7499￥13.7918≥7500￥13.7270 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R150710-99￥7.8840100-499￥7.4898500-999￥7.22701000-1999￥7.21392000-4999￥7.16135000-7499￥7.09567500-9999￥7.0430≥10000￥7.0168 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPT007N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 60 V, 0.00066 ohm, 10 V, 2.8 V63645-49￥30.209450-199￥28.9184200-499￥28.1954500-999￥28.01471000-2499￥27.83402500-4999￥27.62745000-7499￥27.4983≥7500￥27.3692 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPB180P04P4L-02 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V58621-9￥77.671010-99￥74.2940100-249￥73.6861250-499￥73.2134500-999￥72.47041000-2499￥72.13272500-4999￥71.6599≥5000￥71.2547 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能13725-49￥16.274750-199￥15.5792200-499￥15.1897500-999￥15.09241000-2499￥14.99502500-4999￥14.88375000-7499￥14.8142≥7500￥14.7446 -
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品类: MOS管描述: N沟道,Vdss=100V,Idss=50A16985-24￥4.968025-49￥4.600050-99￥4.3424100-499￥4.2320500-2499￥4.15842500-4999￥4.06645000-9999￥4.0296≥10000￥3.9744 -
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 11.5A44085-24￥3.280525-49￥3.037550-99￥2.8674100-499￥2.7945500-2499￥2.74592500-4999￥2.68525000-9999￥2.6609≥10000￥2.6244 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -100 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V733810-49￥1.174550-99￥1.1136100-299￥1.0701300-499￥1.0440500-999￥1.01791000-2499￥0.99182500-4999￥0.9527≥5000￥0.9440
